728x90 728x90 semiconductor11 반도체 ) Nand FLASH Memory - 1 Flash Memory란? Flash는 흔히 "섬광" 혹은 번쩍이다 라는 뜻하는 영어 단어로 순간적인 찰나를 의미한다. 그리고 Memory는 "기억"을 뜻한다. Flash Memory라는 뜻을 이해하기 위해서는 Flash Memory의 동작 방식에 대해서 이해를 해야만 한다. 흔히 반도체에서 Memory라는 것은 저장 소자, 즉 정보를 저장할 수 있는 소자를 의미한다. 정확하게는 전기 신호로 이루어진 정보의 저장을 의미한다. 전기신호는 보통 없다를 의미하는 "0", 그리고 있다를 의미하는 "1"의 두가지 신호를 의미하며, bit라는 단위를 사용한다. Flash Memory는 무수히 많은 bit의 열로 이루어진 정보를 단 한번의 동작으로, 그야말로 일순간에 쓰고 지울 수 있다고 해서 Flash Memory.. 2022. 12. 11. 반도체 ) Dram 변화 방향 Dram Memory 기술 변화 요구 Dram Process 미세화의 둔화와 용량 증가의 한계 봉착 Dram Prcoess 미세화의 둔화 Dram 제조 Process의 미세화는 둔화되고 있고 미세화 한계가 가까워지고 있다. 이는, Capacitor의 용량을 유지하는 것이 한계에 도달하고 있기 때문이다. 미세화에 따라 Capacitor 용량을 유지하는 것이 어려워지는데, Capacitor의 Aspect ratio는 이미 비정상적 수준 상태로 한계에 가까운 상황이다. 10nm대의 1xnm(19mm정도)~1ynm(15nm정도)까지 미세화는 가능할 수도 있으나, 현재 Dram Spec에서 1znm(13~10nm)까지 미세화 및 이의 양산화가 가능한 업체가 있을 수 있지만, 기존 치킨게임(1차 2008년 / 2차.. 2022. 12. 6. 반도체 ) Dram 주요 Process Module - 4 MLM(Multi Layer Metal) 정의 및 특성 Cell, Peri Tr.의 정상적인 동작을 위한 Power 공급 및 소자 간 Signal Line 형성 등 Dram 내, 외부 배선 연결을 위한 Metal Line을 형성하는 공정이다. Chip의 집적도가 증가함에 따라 Power 및 Signal Line, Architecture, Interface 특성의 고도화로 다층의 Metal Line이 필요하다. 이를 MLM(Multi Layer Metal)이라 하며 Metal 배선이 2중인 것을 DLM(Double Layer Metal), 3중인 것을 TLM(Triple Layer Metal)이라 한다. 저항(Resistance)과 Layer 간 정전용량(Capacitance) 감소 Tech Shrink에.. 2022. 12. 1. 반도체 ) Dram 주요 Process Module - 3 SN(Storage Node) 정의 및 특성 전하를 저장하는 소자인 Capacitor를 형성하는 Process로 Storage Node의 약어이다. 두개의 전극과 유전물질로 구성되며 Refresh 특성에 영향을 주는 주요항목 중 하나로 정전용량(Capacitance)확보와 유전물질의 누설전류(Leakage Current) 감소가 중요하다. 정전용량(Capacitance)확보와 누설전류(Leakage Current)감소 Dram 고집적화에 따른 Unit Cell당 할당되는 면적 감소로 Capacitor 면적도 감소되고 있으나, Rsfresh 특성 확보를 위해 일정 수준 이상의 정전용량 학보가 필요하다. 정전용량은 Capacitor의 전극 면적 및 유전물질의 유전율(Permittivity)에 비례하고, 유전.. 2022. 11. 29. 이전 1 2 3 다음 728x90 728x90