MLM(Multi Layer Metal)
정의 및 특성
Cell, Peri Tr.의 정상적인 동작을 위한 Power 공급 및 소자 간 Signal Line 형성 등 Dram 내, 외부 배선 연결을 위한 Metal Line을 형성하는 공정이다.
Chip의 집적도가 증가함에 따라 Power 및 Signal Line, Architecture, Interface 특성의 고도화로 다층의 Metal Line이 필요하다. 이를 MLM(Multi Layer Metal)이라 하며 Metal 배선이 2중인 것을 DLM(Double Layer Metal), 3중인 것을 TLM(Triple Layer Metal)이라 한다.
저항(Resistance)과 Layer 간 정전용량(Capacitance) 감소
Tech Shrink에 따른 Contact, Line 및 Space의 Dimension 감소로 저항 및 정전용량이 증가한다. 이는 RC Delay(RC회로의 시간적인 지연)의 증가로 소자의 Speed 특성 열화를 유발한다.
Contact 저항을 낮추기 위한 방법으로 Ion-Implantation Process 조건과 Interface 특성 개선, Silicide(규화물, Si과 금속 원소와의 화합물)형성 및 RTA(Rapid Thermal Annealing)조건 최적화가 중요하다.
Metal Line의 저항을 낮추기 위한 방법으로 저항이 낮은(Low Registance)물질의 적용과 Metal Line 간 정전용량 감소를 위해 낮은 유전율을 갖는 IMD(Inter Metal Dielectric)물질을 사용한다.
역할
Contact의 Open 불량, Metal Line간의 Short와 Line 끊어짐, Line간 간섭에 의한 Speed 특성 열화 등의 불량이 있으며, Process Margin과 산포 개선을 통해 불량을 개선한다.
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