728x90 728x90 semiconductor11 반도체 ) Dram 주요 Process Module - 2 SAC(Self Align Contact) 정의 및 특성 Cell Tr.의 Storage Node에 저장되어 있는 전하를 Bit Line을 통해 외부에서 읽고 쓸 수 있게 전달해주는 Contact을 형성하는 Process 이다. Dram의 고집적도를 결정하는 주요 공정 중 하나로 점차적으로 Shrink되는 Dram의 Unit Cell Pitch(선폭) 안에 Bit Line과 SNC(Storage Node Contact)를 Self-Align(주변 구조와 미리 증착된 Film을 활용하여 별도의 Photo Lithography 없이 Pattern 형성하는 Process)기법으로 형성시키는 Process이다. Self-Align Contact의 주요 공정은 형성 순서에 따라 BLC(Bit Line Contac.. 2022. 11. 28. 반도체 ) Dram 주요 Process Module - 1 ISO / GATE ISO(Isolation) Data를 저장하는 Cell Tr.과 주변 회로인 Peri[hery Tr.(Peri Tr.)들은 각각의 Tr.이 분리되어 서로 영향을 받지 않아야 한다. Tr.을 물리적, 전기적으로 분리해주기 위해 STI(Shallow Junction Isolation)Process를 사용한다. STI는 Tr.이 형성될 Si과 Si 사이를 Trench Etching으로 분리시키고 절연 물질을 Deposition하여 진행한다. 이렇게 형성된 Si 영역을 ISO라 명명하고, 절연 물질이 Gap Fill된 영억을 Fox Field Oxide라 명명 할 때, Ceill Tr.에 형성된 ISO 깊이와 CD는 Tr.의 Read, Write, Refresh 등의 동작에 직접적인 영향을 .. 2022. 11. 27. 반도체 ) Dram 기본 동작 - 3 주요 동작 (Write, Read) write 동작 Storage Node의 전위 변동 중요 Write "1" : BL의 High Data가 Storage Node에 저장되는 형태이다. BL - Drain / SN - Source가 되며, High Level 전위가 SN으로 유입되어 SN 전위가 Low -> High Level로 상승 하는 모습이다. Write "0" : Storage Node High Data가 BL Low쪽으로 빠져 버린 형태이다. BL - Source / SN - Drain이 되며, SN의 High Level전위가 BL으로 유입되어 SN 전위가 High -> Low Level로 하향되는 모습이다. Read 동작 BL Node의 전위 변동 중요 Read "1" : Storage Nod.. 2022. 11. 19. 반도체 ) Dram 기본 동작 - 2 Dram Architecture Dram 단위 Cell 구성 WL(Word Line) - Transistor Gate Contorl - Storage Node(Cap)의 High Data 전위보다 높은 전원 Level 사용 BL(Bit Line) - Data Transfer Line(Read / Write 공용 ) Tr(Transistor) - Switch 기능의 NMOS Transistor 1개 Cap(Capacitor) - Data 저장 장소 - Storage Node의 Charge량에 의해 Data 유지 - 주기적인 Refresh를 통해 Data 유지 필요 Dram Wafer 구성 및 Core 구조 단위 Chip 내에는 약 만여개가 넘는 단위 Mat이 존재하며, Mat 내에는 수많은 단위 Cell .. 2022. 11. 13. 이전 1 2 3 다음 728x90 728x90