반도체 ) Dram 기본 동작 - 2

Dram Architecture

 

Dram 단위 Cell 구성

WL(Word Line)

- Transistor Gate Contorl

- Storage Node(Cap)의 High Data 전위보다 높은 전원 Level 사용

 

BL(Bit Line)

- Data Transfer Line(Read / Write 공용 )

 

Tr(Transistor)

- Switch 기능의 NMOS Transistor 1개

 

Cap(Capacitor)

- Data 저장 장소

- Storage Node의 Charge량에 의해 Data 유지

- 주기적인 Refresh를 통해 Data 유지 필요

 

Dram Wafer 구성 및 Core 구조

단위 Chip 내에는 약 만여개가 넘는 단위 Mat이 존재하며, Mat 내에는 수많은 단위 Cell Transistor와 Cap 조합이 배열되어 있다.

각 Mat 인접은 단위 Cell. Transistor의 WL을 Control하는 회로 SWD(Sub Word Line Driver)와 BL을 Control하는 S/A(Sense Amplifier)가 위치해 있다.