주요 동작 (Write, Read)
write 동작
Storage Node의 전위 변동 중요
Write "1" : BL의 High Data가 Storage Node에 저장되는 형태이다.
BL - Drain / SN - Source가 되며, High Level 전위가 SN으로 유입되어 SN 전위가 Low -> High Level로 상승 하는 모습이다.
Write "0" : Storage Node High Data가 BL Low쪽으로 빠져 버린 형태이다.
BL - Source / SN - Drain이 되며, SN의 High Level전위가 BL으로 유입되어 SN 전위가 High -> Low Level로 하향되는 모습이다.
Read 동작
BL Node의 전위 변동 중요
Read "1" : Storage Node의 High Data가 BL로 이동하여 BL의 기준 전위가 일정량 증가된 형태이다.
BL - Source / SN - Drain이 되며, SN의 High Level 전위가 BL로 유입되어 BL 전위가 기준 전위 -> 기준 전위 +@ Level로 상승하는 모습이다
Read "0" : BL Node의 기준 전위에서 빈 SN Node로 이동하여 BL의 기준 전위가 일정량 감소된 형태이다.
BL - Drain / SN - Source가 되며, SN의 Low Level 전위가 BL로 유입되어 BL 전위가 기준 전위 -> 기준 전위 - @ Level로 하향되는 모습이다.
REFRESH
Refresh란?
정의
Dram의 가장 큰 특징은 Dynamic이란 것이고, 이는 물리적으로 Data를 저장하기 때문에 일정시간이 지나면 Data의 소실이 발생한다. 따라서 이를 방지하기 위하여 일정 시간이 지나면 종래에 썼던 Data를 다시 보충해주는데 이를 Refresh 동작이라고 한다. Dram 동작의 필수 요소 이다.
Refresh Time(tREF - Data Retension Time)
memory Cell에서 Data를 잃어버리기 직전까지의 시간을 말한다.
즉, 원하는 Data를 Write하고, 누설전류 등에 의해 Write한 Data의 판정이 되지 않고 Fail로 발생한 시간을 말한다.
Dram Chip Maker 회사마다 tREF의 Spec을 정하는 기준은 다르나 기본 개념은 위와 같다.
Refresh 불량 종류
Cell Tr Off Leakage
SN Junction Leakage
Capacitor Leakage
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