728x90 728x90 분류 전체보기150 R ) as.formula 활용하기 formula 인자 변경하면서 반복문 사용 함수를 사용하다보면 formula인자에 값을 넣어 사용할때가 있습니다. 이때 formula인자에 들어가는 값을 바꿔가면서 반복문을 돌리는 등의 코드를 진행하고 싶을때가 있습니다. formula인자에는 문자열등이 들어가는 것이 아니라 다른게 들어가나 봅니다..그래서 그냥 문자열을 넣으면 안되고 as.formula함수를 이용해 문자열을 formula인자에 들어가도록 바꿀 수 있는 것 같습니다. 그래서 as.formula를 이용해 formula인자의 값을 바꿔가면서 적용시키는 예제를 해보려고 합니다. dataframe은 iris를 사용하겠습니다. 함수는 doBy 패키지의 orderBy함수를 사용해보려 합니다. oderBy(formula=~정렬할 기준 column, data=dataframe)인자를 갖고 있는 .. 2022. 11. 30. 반도체 ) Dram 주요 Process Module - 3 SN(Storage Node) 정의 및 특성 전하를 저장하는 소자인 Capacitor를 형성하는 Process로 Storage Node의 약어이다. 두개의 전극과 유전물질로 구성되며 Refresh 특성에 영향을 주는 주요항목 중 하나로 정전용량(Capacitance)확보와 유전물질의 누설전류(Leakage Current) 감소가 중요하다. 정전용량(Capacitance)확보와 누설전류(Leakage Current)감소 Dram 고집적화에 따른 Unit Cell당 할당되는 면적 감소로 Capacitor 면적도 감소되고 있으나, Rsfresh 특성 확보를 위해 일정 수준 이상의 정전용량 학보가 필요하다. 정전용량은 Capacitor의 전극 면적 및 유전물질의 유전율(Permittivity)에 비례하고, 유전.. 2022. 11. 29. 반도체 ) Dram 주요 Process Module - 2 SAC(Self Align Contact) 정의 및 특성 Cell Tr.의 Storage Node에 저장되어 있는 전하를 Bit Line을 통해 외부에서 읽고 쓸 수 있게 전달해주는 Contact을 형성하는 Process 이다. Dram의 고집적도를 결정하는 주요 공정 중 하나로 점차적으로 Shrink되는 Dram의 Unit Cell Pitch(선폭) 안에 Bit Line과 SNC(Storage Node Contact)를 Self-Align(주변 구조와 미리 증착된 Film을 활용하여 별도의 Photo Lithography 없이 Pattern 형성하는 Process)기법으로 형성시키는 Process이다. Self-Align Contact의 주요 공정은 형성 순서에 따라 BLC(Bit Line Contac.. 2022. 11. 28. 반도체 ) Dram 주요 Process Module - 1 ISO / GATE ISO(Isolation) Data를 저장하는 Cell Tr.과 주변 회로인 Peri[hery Tr.(Peri Tr.)들은 각각의 Tr.이 분리되어 서로 영향을 받지 않아야 한다. Tr.을 물리적, 전기적으로 분리해주기 위해 STI(Shallow Junction Isolation)Process를 사용한다. STI는 Tr.이 형성될 Si과 Si 사이를 Trench Etching으로 분리시키고 절연 물질을 Deposition하여 진행한다. 이렇게 형성된 Si 영역을 ISO라 명명하고, 절연 물질이 Gap Fill된 영억을 Fox Field Oxide라 명명 할 때, Ceill Tr.에 형성된 ISO 깊이와 CD는 Tr.의 Read, Write, Refresh 등의 동작에 직접적인 영향을 .. 2022. 11. 27. 이전 1 ··· 8 9 10 11 12 13 14 ··· 38 다음 728x90 728x90
