SAC(Self Align Contact)
정의 및 특성
Cell Tr.의 Storage Node에 저장되어 있는 전하를 Bit Line을 통해 외부에서 읽고 쓸 수 있게 전달해주는 Contact을 형성하는 Process 이다.
Dram의 고집적도를 결정하는 주요 공정 중 하나로 점차적으로 Shrink되는 Dram의 Unit Cell Pitch(선폭) 안에 Bit Line과 SNC(Storage Node Contact)를 Self-Align(주변 구조와 미리 증착된 Film을 활용하여 별도의 Photo Lithography 없이 Pattern 형성하는 Process)기법으로 형성시키는 Process이다.
Self-Align Contact의 주요 공정은 형성 순서에 따라 BLC(Bit Line Contact), Bit Line, Sidewall, SNC로 이루어져 있다.
BLC(Bit Line Contact) : Active(또는 ISO)와 Bit Line을 연결
Bit Line : Data를 읽고 쓰는 Metal Line
Sidewall : Bit Line과 SNC를 분리시켜주는 역할, 절연 특성이 중요
SNC(Storage Node Contact) : Active와 Storage Node를 연결
역할
Bit Line과 BLC, SNC Contact이 제 기능을 수행할 수 있도록 물성과 크기의 최적점을 찾고 특성을 안정화하는 것이 SAC Process의 역할이다.
이러한 구조들은 한정된 Pitch안에서 형성되므로 Overlay(Photo Lithography Process에서 상/하부 Layer 간 정렬 정도) 및 Prcoess 산포에 따른 필연적인 불량이 발생하게 된다.
SAC Process의 주요 구조적인 불량은 Bit Line과 SNC가 연결되어 발생하는 Short 불량 및 각 Contact들의 미형성 기인 Open 불량이 있으며, 특성관련 불량으로는 BLC, SNC의 고저항성 불량 및 Bit Line의 기생 Capacitance불량이 있다.
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