728x90 728x90 분류 전체보기150 반도체 ) Dram 기본 동작 - 2 Dram Architecture Dram 단위 Cell 구성 WL(Word Line) - Transistor Gate Contorl - Storage Node(Cap)의 High Data 전위보다 높은 전원 Level 사용 BL(Bit Line) - Data Transfer Line(Read / Write 공용 ) Tr(Transistor) - Switch 기능의 NMOS Transistor 1개 Cap(Capacitor) - Data 저장 장소 - Storage Node의 Charge량에 의해 Data 유지 - 주기적인 Refresh를 통해 Data 유지 필요 Dram Wafer 구성 및 Core 구조 단위 Chip 내에는 약 만여개가 넘는 단위 Mat이 존재하며, Mat 내에는 수많은 단위 Cell .. 2022. 11. 13. R ) NA를 이전 행 값으로 채우기 na.locf()함수 in r data를 다루가 보면 NA의 값을 이전 행에 있는 값으로 채우고 싶을때가 있습니다. 이때 간단하게 사용할 수 있는 함수에 대해 알아보려고 합니다. df 2022. 11. 12. 반도체 ) Dram 기본 동작 - 1 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)의 약자로 MOS 구조를 쓰면서 Gate 전압에 의해 발생된 Field로 동작되는 Transistor를 말한다. MOSFET 구성 및 구분 구성 Source, Gate, Drain, Bulk(Substrate)의 4단자로 구성되어 있으며 Gate 아래의 Source와 Drain간 거리를 Channel Length라고 한다. Gate 아래의 Source나 Drain 영역의 폭을 Channel Width라고 한다. MOSFET 구분 MOSFET은 크게 NMOSFET과 PMOSFET으로 나뉜다. NMOSFET은 N type Channel MOSFET을, PMOSFET은 P type Channel MOSFET.. 2022. 11. 11. 반도체 ) Dram Memory - 2 Dram 운용 제품별 특징 (Computing / Mobile / Graphic) Computing DRAM 특징 High Density 많은 Data 처리가 필요한 Data Center와 같은 곳에서의 수요가 지속적으로 있고 Channel / Slot 수의 증가에 따른 고용량 *DIMM지원이 필요하다. Multi 패키징 기술의 발전으로 단일 PKG 1ea의 용량 증가 추세이다. *DIMM Memory Module 종류. PCB전면과 후면의 pin수는 같으나 pin들이 기능을 달리하는 제품을 말함. Module PCB의 단자(Pin)가 양쪽에 있으며 각각 독립적인 신호로 동작하는 형태의 Module. Reliability(신뢰도) 중요 Server Data 안정성에 기여하기 위해 Reliability가 .. 2022. 11. 9. 이전 1 ··· 10 11 12 13 14 15 16 ··· 38 다음 728x90 728x90
