728x90 728x90 transistor2 반도체 ) Dram 주요 Process Module - 1 ISO / GATE ISO(Isolation) Data를 저장하는 Cell Tr.과 주변 회로인 Peri[hery Tr.(Peri Tr.)들은 각각의 Tr.이 분리되어 서로 영향을 받지 않아야 한다. Tr.을 물리적, 전기적으로 분리해주기 위해 STI(Shallow Junction Isolation)Process를 사용한다. STI는 Tr.이 형성될 Si과 Si 사이를 Trench Etching으로 분리시키고 절연 물질을 Deposition하여 진행한다. 이렇게 형성된 Si 영역을 ISO라 명명하고, 절연 물질이 Gap Fill된 영억을 Fox Field Oxide라 명명 할 때, Ceill Tr.에 형성된 ISO 깊이와 CD는 Tr.의 Read, Write, Refresh 등의 동작에 직접적인 영향을 .. 2022. 11. 27. 반도체 ) Dram 기본 동작 - 2 Dram Architecture Dram 단위 Cell 구성 WL(Word Line) - Transistor Gate Contorl - Storage Node(Cap)의 High Data 전위보다 높은 전원 Level 사용 BL(Bit Line) - Data Transfer Line(Read / Write 공용 ) Tr(Transistor) - Switch 기능의 NMOS Transistor 1개 Cap(Capacitor) - Data 저장 장소 - Storage Node의 Charge량에 의해 Data 유지 - 주기적인 Refresh를 통해 Data 유지 필요 Dram Wafer 구성 및 Core 구조 단위 Chip 내에는 약 만여개가 넘는 단위 Mat이 존재하며, Mat 내에는 수많은 단위 Cell .. 2022. 11. 13. 이전 1 다음 728x90 728x90