728x90 728x90 DRAM5 반도체 ) Dram 주요 Process Module - 1 ISO / GATE ISO(Isolation) Data를 저장하는 Cell Tr.과 주변 회로인 Peri[hery Tr.(Peri Tr.)들은 각각의 Tr.이 분리되어 서로 영향을 받지 않아야 한다. Tr.을 물리적, 전기적으로 분리해주기 위해 STI(Shallow Junction Isolation)Process를 사용한다. STI는 Tr.이 형성될 Si과 Si 사이를 Trench Etching으로 분리시키고 절연 물질을 Deposition하여 진행한다. 이렇게 형성된 Si 영역을 ISO라 명명하고, 절연 물질이 Gap Fill된 영억을 Fox Field Oxide라 명명 할 때, Ceill Tr.에 형성된 ISO 깊이와 CD는 Tr.의 Read, Write, Refresh 등의 동작에 직접적인 영향을 .. 2022. 11. 27. 반도체 ) Dram 기본 동작 - 3 주요 동작 (Write, Read) write 동작 Storage Node의 전위 변동 중요 Write "1" : BL의 High Data가 Storage Node에 저장되는 형태이다. BL - Drain / SN - Source가 되며, High Level 전위가 SN으로 유입되어 SN 전위가 Low -> High Level로 상승 하는 모습이다. Write "0" : Storage Node High Data가 BL Low쪽으로 빠져 버린 형태이다. BL - Source / SN - Drain이 되며, SN의 High Level전위가 BL으로 유입되어 SN 전위가 High -> Low Level로 하향되는 모습이다. Read 동작 BL Node의 전위 변동 중요 Read "1" : Storage Nod.. 2022. 11. 19. 반도체 ) Dram 기본 동작 - 2 Dram Architecture Dram 단위 Cell 구성 WL(Word Line) - Transistor Gate Contorl - Storage Node(Cap)의 High Data 전위보다 높은 전원 Level 사용 BL(Bit Line) - Data Transfer Line(Read / Write 공용 ) Tr(Transistor) - Switch 기능의 NMOS Transistor 1개 Cap(Capacitor) - Data 저장 장소 - Storage Node의 Charge량에 의해 Data 유지 - 주기적인 Refresh를 통해 Data 유지 필요 Dram Wafer 구성 및 Core 구조 단위 Chip 내에는 약 만여개가 넘는 단위 Mat이 존재하며, Mat 내에는 수많은 단위 Cell .. 2022. 11. 13. 반도체 ) Dram Memory - 2 Dram 운용 제품별 특징 (Computing / Mobile / Graphic) Computing DRAM 특징 High Density 많은 Data 처리가 필요한 Data Center와 같은 곳에서의 수요가 지속적으로 있고 Channel / Slot 수의 증가에 따른 고용량 *DIMM지원이 필요하다. Multi 패키징 기술의 발전으로 단일 PKG 1ea의 용량 증가 추세이다. *DIMM Memory Module 종류. PCB전면과 후면의 pin수는 같으나 pin들이 기능을 달리하는 제품을 말함. Module PCB의 단자(Pin)가 양쪽에 있으며 각각 독립적인 신호로 동작하는 형태의 Module. Reliability(신뢰도) 중요 Server Data 안정성에 기여하기 위해 Reliability가 .. 2022. 11. 9. 이전 1 2 다음 728x90 728x90
