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반도체11

반도체 ) Dram 기본 동작 - 1 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)의 약자로 MOS 구조를 쓰면서 Gate 전압에 의해 발생된 Field로 동작되는 Transistor를 말한다. MOSFET 구성 및 구분 구성 Source, Gate, Drain, Bulk(Substrate)의 4단자로 구성되어 있으며 Gate 아래의 Source와 Drain간 거리를 Channel Length라고 한다. Gate 아래의 Source나 Drain 영역의 폭을 Channel Width라고 한다. MOSFET 구분 MOSFET은 크게 NMOSFET과 PMOSFET으로 나뉜다. NMOSFET은 N type Channel MOSFET을, PMOSFET은 P type Channel MOSFET.. 2022. 11. 11.
반도체 ) Dram Memory - 2 Dram 운용 제품별 특징 (Computing / Mobile / Graphic) Computing DRAM 특징 High Density 많은 Data 처리가 필요한 Data Center와 같은 곳에서의 수요가 지속적으로 있고 Channel / Slot 수의 증가에 따른 고용량 *DIMM지원이 필요하다. Multi 패키징 기술의 발전으로 단일 PKG 1ea의 용량 증가 추세이다. *DIMM Memory Module 종류. PCB전면과 후면의 pin수는 같으나 pin들이 기능을 달리하는 제품을 말함. Module PCB의 단자(Pin)가 양쪽에 있으며 각각 독립적인 신호로 동작하는 형태의 Module. Reliability(신뢰도) 중요 Server Data 안정성에 기여하기 위해 Reliability가 .. 2022. 11. 9.
반도체 ) Dram Memory - 1 반도체 공부한것을 기록해보려고 합니다.. 그 첫글로... 이제 시작해 보겠습니다. Dram이란..? 원하는 정보를 꺼내어 쓸 수 있는 반도체 기억장치로 Computer의 기본 기억장치이며 명령에 의해 정보를 꺼내어 쓰거나 넣을 수 있다. 정기적으로 Refresh 동작이 필요한 Dram과 전원을 끊어도 기억정보가 유지되는 Sram등이 있다. Ram은 읽고 쓰기가 자유로운 컴퓨터 기억장치로 data를 임시로 저장하는데 주로 쓰인다. Dram Dynamic Ram : 수시 기입과 읽기를 하는 메모리 Dram은 Ram의 한종류로 저장된 정보가 시간에 따라 소멸되기 때문에 주기적으로 재생시켜야하는 특징을 갖고 있다. 구조가 간단해 집적이 용이 하므로 대용량 임시 기억장치로 사용된다. Dram에서 사용하는 전압 크.. 2022. 11. 8.
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