728x90 728x90 tr1 반도체 ) Dram 주요 Process Module - 1 ISO / GATE ISO(Isolation) Data를 저장하는 Cell Tr.과 주변 회로인 Peri[hery Tr.(Peri Tr.)들은 각각의 Tr.이 분리되어 서로 영향을 받지 않아야 한다. Tr.을 물리적, 전기적으로 분리해주기 위해 STI(Shallow Junction Isolation)Process를 사용한다. STI는 Tr.이 형성될 Si과 Si 사이를 Trench Etching으로 분리시키고 절연 물질을 Deposition하여 진행한다. 이렇게 형성된 Si 영역을 ISO라 명명하고, 절연 물질이 Gap Fill된 영억을 Fox Field Oxide라 명명 할 때, Ceill Tr.에 형성된 ISO 깊이와 CD는 Tr.의 Read, Write, Refresh 등의 동작에 직접적인 영향을 .. 2022. 11. 27. 이전 1 다음 728x90 728x90