728x90 728x90 Refresh1 반도체 ) Dram 기본 동작 - 3 주요 동작 (Write, Read) write 동작 Storage Node의 전위 변동 중요 Write "1" : BL의 High Data가 Storage Node에 저장되는 형태이다. BL - Drain / SN - Source가 되며, High Level 전위가 SN으로 유입되어 SN 전위가 Low -> High Level로 상승 하는 모습이다. Write "0" : Storage Node High Data가 BL Low쪽으로 빠져 버린 형태이다. BL - Source / SN - Drain이 되며, SN의 High Level전위가 BL으로 유입되어 SN 전위가 High -> Low Level로 하향되는 모습이다. Read 동작 BL Node의 전위 변동 중요 Read "1" : Storage Nod.. 2022. 11. 19. 이전 1 다음 728x90 728x90