728x90 728x90 Gate2 반도체 ) Dram 주요 Process Module - 1 ISO / GATE ISO(Isolation) Data를 저장하는 Cell Tr.과 주변 회로인 Peri[hery Tr.(Peri Tr.)들은 각각의 Tr.이 분리되어 서로 영향을 받지 않아야 한다. Tr.을 물리적, 전기적으로 분리해주기 위해 STI(Shallow Junction Isolation)Process를 사용한다. STI는 Tr.이 형성될 Si과 Si 사이를 Trench Etching으로 분리시키고 절연 물질을 Deposition하여 진행한다. 이렇게 형성된 Si 영역을 ISO라 명명하고, 절연 물질이 Gap Fill된 영억을 Fox Field Oxide라 명명 할 때, Ceill Tr.에 형성된 ISO 깊이와 CD는 Tr.의 Read, Write, Refresh 등의 동작에 직접적인 영향을 .. 2022. 11. 27. 반도체 ) Dram 기본 동작 - 1 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)의 약자로 MOS 구조를 쓰면서 Gate 전압에 의해 발생된 Field로 동작되는 Transistor를 말한다. MOSFET 구성 및 구분 구성 Source, Gate, Drain, Bulk(Substrate)의 4단자로 구성되어 있으며 Gate 아래의 Source와 Drain간 거리를 Channel Length라고 한다. Gate 아래의 Source나 Drain 영역의 폭을 Channel Width라고 한다. MOSFET 구분 MOSFET은 크게 NMOSFET과 PMOSFET으로 나뉜다. NMOSFET은 N type Channel MOSFET을, PMOSFET은 P type Channel MOSFET.. 2022. 11. 11. 이전 1 다음 728x90 728x90