728x90 728x90 Dram 기본동작1 반도체 ) Dram 기본 동작 - 2 Dram Architecture Dram 단위 Cell 구성 WL(Word Line) - Transistor Gate Contorl - Storage Node(Cap)의 High Data 전위보다 높은 전원 Level 사용 BL(Bit Line) - Data Transfer Line(Read / Write 공용 ) Tr(Transistor) - Switch 기능의 NMOS Transistor 1개 Cap(Capacitor) - Data 저장 장소 - Storage Node의 Charge량에 의해 Data 유지 - 주기적인 Refresh를 통해 Data 유지 필요 Dram Wafer 구성 및 Core 구조 단위 Chip 내에는 약 만여개가 넘는 단위 Mat이 존재하며, Mat 내에는 수많은 단위 Cell .. 2022. 11. 13. 이전 1 다음 728x90 728x90